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李在镕:三星計劃利用世界上第一個3納米工藝制造芯片

1月2日消息,據外媒報道,周四,三星電子事實上的領導者李在镕(Lee Jae-yong)開始大談該公司利用世界上第一個3納米工藝技術制造尖端芯片的戰略計劃。

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李在镕參觀了該公司位于京畿道華城的半導體研發中心。據三星公司稱,這位三星繼承人稱,該公司計劃采用正在開發的最新3納米全柵極(gate-all-around,簡稱GAA)工藝技術來制造尖端芯片,并提供給全球客戶。

GAA被認為是當前FinFET技術的升級版,該技術使芯片制造商能夠進一步提高微芯片的制造工藝。

三星在去年4月完成了基于極端紫外線技術的5納米FinFET工藝技術的開發。目前,它正在研究下一代納米工藝技術。

該公司表示,與5納米工藝相比,3納米GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了約30%。

“李在镕訪問半導體研發中心,再次凸顯了三星要成長為非內存領域頂級芯片制造商的決心。”三星發言人稱。

去年,三星宣布了一項高達133萬億韓元(約合1118.5億美元)的投資計劃,目標是到2030年成為全球最大的芯片系統制造商。

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